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CASICON 2023深圳前瞻 |大連理工大學王德君教授:碳化硅柵氧技術及未來挑戰(zhàn)

日期:2023-09-27 來源:半導體產業(yè)網(wǎng)閱讀:866
核心提示:大連理工大學王德君教授將受邀出席2023化合物半導體器件與封裝技術論壇,并分享《碳化硅柵氧技術及未來挑戰(zhàn)》主題演講。

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2023化合物半導體器件與封裝技術論壇將于10月12-13日在深圳·國際會展中心(寶安新館)·  3號館·封測劇院召開。屆時,大連理工大學王德君教授將受邀出席論壇,并分享《碳化硅柵氧技術及未來挑戰(zhàn)》主題演講。

封裝是功率半導體產業(yè)鏈中不可或缺的一環(huán),主要起著安放、固定、密封、保護芯片,以及確保電路性能和熱性能等作用。采用合理的封裝結構、合適的封裝材料,以及先進的封裝工藝技術,可以獲得良好的散熱性能,確保高電壓、大電流的功率器件的正常使用,并能在工作環(huán)境下穩(wěn)定可靠地工作。此外,封裝對于功率器件乃至整個系統(tǒng)的小型化、高度集成化及多功能化起著關鍵的作用。為了提高功率半導體器件的性能,必然會對封裝提出更高的要求。

柵氧技術是碳化硅MOSFET器件的核心關鍵技術,它與器件的可靠性密切相關。大連理工大學在SiC器件領域經二十余年技術積累,率先解決了柵氧缺陷分析和缺陷物理參數(shù)分離難題,形成了SiC MOS器件柵氧可靠性分析測試技術成套解決方案;并開發(fā)了SiC MOS器件柵氧化新技術等諸多成果,為服務器件制造產業(yè)提供了強有力的支撐。屆時,王德君教授將出席論壇并將在《碳化硅柵氧技術及未來挑戰(zhàn)》主題報告中,詳細介紹高溫柵氧技術及未來挑戰(zhàn),以及先進柵氧化技術及未來挑戰(zhàn),內容涉及缺陷理論、測試分析、制造技術及裝備等。

王德君

王德君,大連理工大學教授,研究方向涉及三代半導體SiC電子器件制造測試技術及裝備; SiC半導體缺陷物理學;集成電路技術。技術領域涉及SiC MOS器件柵氧可靠性分析測試技術;SiC MOS器件柵氧可靠性制造技術及裝備;SiC半導體表面干法清洗技術及裝備。

目前論壇詳細日程安排已經出爐,欲知會議詳情詳見下文:

會議主題:共享機遇  直面 “挑戰(zhàn)

會議時間:20231012-13

會議地點:深圳·國際會展中心(寶安新館)·  3號館·封測劇院

主辦單位:

中國國際貿易促進委員會電子信息行業(yè)分會

勵展博覽集團

極智半導體產業(yè)網(wǎng)

第三代半導體產業(yè)

承辦單位:

北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

協(xié)辦單位:

江蘇博睿光電股份有限公司

ULVAC株式會社

托托科技(蘇州)有限公司

擬與會單位:

蘇州鍇威特、英諾賽科、基本半導體、泰科天潤、PI、長飛光纖、日月光、安靠、長電科技、瞻芯電子,華天、納維科技、蘇州晶湛、百識電子、三安集成、通富微、大族激光、紫光、力成科技、矽品、中微、上海微電子、陽光電源、北方華創(chuàng)、南京大學、復旦大學、中科院蘇州納米所、江蘇三代半研究院、東南大學、國星光電、京元電子、聯(lián)合科技、甬矽電子、無錫華潤安盛、頎邦、晶方半導體、紫光、環(huán)旭、蘇州固锝、ARM、Cadence、士蘭微、Mentor、Synopsys、Silicon Image、Ceva、eMemory、comsol、ansys、abaqus、Ansys 、富士康、華光光電、偉創(chuàng)力、捷普電子、和 碩、廣達上海、貝萊勝電子、恒諾微電子、華泰電子、環(huán)旭、TDG、中電科、杭州長川科技、ASM、海思、K&S、Disco、蘇州艾科瑞思、泰瑞達、科利登Xcerra、美國國家儀器NI、Chroma、北京華峰測控、精測電子、TRI、Hilevel、KingTiger、TEV、TELCO、是德科技、羅德施瓦茨、錸微半導體、利之達、老鷹半導體,米格實驗室,國星半導體,南方電網(wǎng),國家電網(wǎng),深圳大學,北大深圳研究院,南方科技大學、西安電子科技大學、華為和比亞迪等

會議日程(擬):

927日程長圖

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