近日，中國電科55所與一汽聯(lián)合推動碳化硅功率器件及模組科技創(chuàng)新，研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成樣品流片，首款全國產(chǎn)1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。

中國電科消息稱，在750V碳化硅功率芯片項目中，雙方技術(shù)團隊從結(jié)構(gòu)設計、工藝技術(shù)、材料應用維度開展聯(lián)合攻關，推動碳化硅功率芯片技術(shù)達到國際先進水平。目前，已進入產(chǎn)品級測試階段。

而在2in1碳化硅功率模塊項目中，雙方技術(shù)團隊圍繞新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料開展聯(lián)合攻關，實現(xiàn)芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設計與生產(chǎn)、封裝結(jié)構(gòu)設計、塑封工藝開發(fā)與模塊試制等關鍵環(huán)節(jié)全流程自主創(chuàng)新，為碳化硅功率半導體設計與生產(chǎn)全自主化、全國產(chǎn)化打下基礎。

未來，55所將持續(xù)強化產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)合攻關，推動碳化硅功率器件及模組關鍵核心技術(shù)自主創(chuàng)新；今年初，中國電科46所也成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶。當時消息指出，該成果系“國內(nèi)第一”且“達到國際最高水平”。