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半導(dǎo)體公司氮矽科技完成A輪融資 力爭(zhēng)2024年實(shí)現(xiàn)汽車應(yīng)用領(lǐng)域突破

日期:2022-11-09 閱讀:229
核心提示:近日,氮化鎵初創(chuàng)公司氮矽科技完成數(shù)千萬(wàn)A輪融資。本輪融資由前魅族聯(lián)合創(chuàng)始人白永祥領(lǐng)投,蘭璞資本和亞商資本跟投。本輪資金將

近日,氮化鎵初創(chuàng)公司氮矽科技完成數(shù)千萬(wàn)A輪融資。本輪融資由前魅族聯(lián)合創(chuàng)始人白永祥領(lǐng)投,蘭璞資本和亞商資本跟投。本輪資金將主要用于產(chǎn)品研發(fā)以及產(chǎn)品銷售等方面,繼續(xù)加大研發(fā)投入以及拓寬應(yīng)用市場(chǎng),確保在2023年實(shí)現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的突破,爭(zhēng)取在2024年實(shí)現(xiàn)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的突破。

氮矽科技成立于2019年,是國(guó)內(nèi)首批成立的專注于功率氮化鎵器件及其驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)和銷售的半導(dǎo)體公司,其研發(fā)運(yùn)營(yíng)中心設(shè)于成都,擁有博士6人,研發(fā)人員占比70%以上,在深圳設(shè)有子公司,主要負(fù)責(zé)市場(chǎng)營(yíng)銷。據(jù)公司創(chuàng)始人羅鵬介紹,氮矽科技于2021年8月完成Pre-A輪融資,用于加強(qiáng)研發(fā)及部分產(chǎn)品銷售的備貨。研發(fā)方面,公司在2021年底發(fā)布了80V氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)芯片,在2022年擴(kuò)充了650V氮化鎵晶體管產(chǎn)品線的產(chǎn)品,完成了氮化鎵超高速(50-100MHz)驅(qū)動(dòng)芯片的研發(fā),并在2022年7月發(fā)布了使用先進(jìn)的面板級(jí)封裝技術(shù)的集成驅(qū)動(dòng)的氮化鎵芯片等。市場(chǎng)方面,氮矽科技的650V系列產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于PD快充類產(chǎn)品,產(chǎn)品累計(jì)訂單已超過1,000,000顆;公司在適配器電源市場(chǎng)也實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有的突破,同時(shí)公司積極布局?jǐn)?shù)據(jù)中心電源,新能源汽車,光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)。

相比傳統(tǒng)硅基器件,氮化鎵器件具有超低導(dǎo)通電阻、超高頻、無(wú)反向?qū)〒p耗等特點(diǎn),可以大大提升電源的效率及功率密度,自2019年OPPO發(fā)布全球首款氮化鎵快充充電器之后,650V系列的氮化鎵器件的出貨迎來爆發(fā)式增長(zhǎng),并快速占領(lǐng)大功率(>65W)PD快充頭市場(chǎng)。對(duì)比PD快充市場(chǎng),氮化鎵在傳統(tǒng)電源適配器、工業(yè)、汽車等電源領(lǐng)域的進(jìn)展卻很緩慢,主要的原因包括有產(chǎn)品封裝形式單一、應(yīng)用設(shè)計(jì)難度大、研發(fā)周期長(zhǎng)、配套IC價(jià)格高等。根據(jù)不同的應(yīng)用市場(chǎng)和領(lǐng)域,氮矽科技推出不同系列的產(chǎn)品。針對(duì)充電頭市場(chǎng)的DFN系列產(chǎn)品,針對(duì)電源適配器市場(chǎng)的TO系列產(chǎn)品、以及針對(duì)高頻以及高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景的驅(qū)動(dòng)與氮化鎵集成的PIIPTM系列產(chǎn)品。

相比于高壓650V氮化鎵在PD市場(chǎng)上的披荊斬棘,國(guó)內(nèi)低壓(≤200V)氮化鎵的市場(chǎng)依舊處于萌芽階段。低壓氮化鎵在D類放大器(Class-D)音箱、鋰電BMS、數(shù)據(jù)中心、無(wú)線充電、激光雷達(dá)等領(lǐng)域?qū)Ρ葌鹘y(tǒng)硅器件無(wú)論在性能還是系統(tǒng)成本上都有著巨大的優(yōu)勢(shì),而限制氮化鎵普及的痛點(diǎn)主要有驅(qū)動(dòng)芯片匱乏、系統(tǒng)應(yīng)用研發(fā)周期長(zhǎng)、客戶驗(yàn)證周期長(zhǎng)等。氮矽科技針對(duì)此推出了三款驅(qū)動(dòng)芯片:?jiǎn)瓮ǖ赖夠?qū)動(dòng)芯片、80V半橋氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片以及適用于激光雷達(dá)的超高速氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片,此三款驅(qū)動(dòng)芯片填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片領(lǐng)域的空白。同時(shí)氮矽科技全力研發(fā)低壓氮化鎵器件配合氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片搭建成氮化鎵模塊,氮化鎵模塊將大大簡(jiǎn)化客戶端的應(yīng)用搭建難度,縮短應(yīng)用研發(fā)周期,同時(shí)可以有效的保護(hù)氮化鎵器件脆弱的柵極從而極大的提高系統(tǒng)的可靠性。

(來源:投資界)

 

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