據(jù)悉，江蘇省科學(xué)技術(shù)廳發(fā)布《2022年江蘇省科技計(jì)劃專項(xiàng)資金（重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃產(chǎn)業(yè)前瞻與關(guān)鍵核心技術(shù)）擬立項(xiàng)目公示》的通知，公示時(shí)間自2022年5月23日至5月30日。
圖片來源：江蘇省科學(xué)技術(shù)廳官網(wǎng)截圖
據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，公示的項(xiàng)目分為重點(diǎn)項(xiàng)目、競(jìng)爭(zhēng)項(xiàng)目?jī)深?，涉及半?dǎo)體領(lǐng)域的共有43個(gè)。
從半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域上看，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的項(xiàng)目共有17個(gè)。其中，有13個(gè)項(xiàng)目重點(diǎn)項(xiàng)目包括基站用千瓦級(jí)GaN功率器件及毫米波收發(fā)前端芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)，高功率密度、高可靠GaN射頻功率器件研發(fā)，5G毫米波通信用GaN收發(fā)前端芯片研發(fā)等；4個(gè)項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)項(xiàng)目包括大尺寸GaN器件材料及生長(zhǎng)設(shè)備研發(fā)、1200V車規(guī)級(jí)SiC模塊封裝技術(shù)研發(fā)等。
封測(cè)領(lǐng)域，共有9個(gè)項(xiàng)目，其中，6個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目分別是多芯片射頻系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的設(shè)計(jì)、工藝和材料集成研發(fā)，基于射頻寬帶的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）集成工藝研發(fā)，基于系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的射頻寬帶接收芯片設(shè)計(jì)與系統(tǒng)集成研發(fā)、適用于多芯片射頻系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的基材及增層材料的研發(fā)等；3個(gè)競(jìng)爭(zhēng)項(xiàng)目，分別是高可靠多芯片系統(tǒng)集成（SiP）塑料封裝技術(shù)、集成化激光器陣列芯片測(cè)試裝備研發(fā)、基于芯片封裝的指紋的輕量級(jí)區(qū)塊鏈關(guān)鍵技術(shù)研究。
EDA領(lǐng)域，包括5個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目，分別是面向設(shè)計(jì)工藝協(xié)同優(yōu)化的TCAD-SPICE快速建模工具研發(fā)項(xiàng)目、5-14nm先進(jìn)半導(dǎo)體器件TCAD軟件核心技術(shù)研發(fā)及其EDA工具開發(fā)項(xiàng)目、5-14nm先進(jìn)半導(dǎo)體器件量子效應(yīng)的TCAD仿真技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目、5-14nm先進(jìn)半導(dǎo)體器件應(yīng)力應(yīng)變TCAD仿真模型研發(fā)項(xiàng)目、5-14nm器件結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性分析及TCAD驗(yàn)證項(xiàng)目。
MCU領(lǐng)域，包含5個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目，分別為汽車動(dòng)力控制用32位多核MCU芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、汽車動(dòng)力控制用32位多核MCU芯片研發(fā)、基于國(guó)產(chǎn)32位多核MCU車規(guī)級(jí)芯片的控制器測(cè)試技術(shù)和評(píng)價(jià)體系研發(fā)、汽車動(dòng)力控制用32位多核MCU芯片測(cè)試技術(shù)及可靠性研究、基于國(guó)產(chǎn)32位多核MCU芯片的發(fā)動(dòng)機(jī)控制器研究。
此外，還有芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的面向可編程網(wǎng)絡(luò)的自主DPU芯片的研究與設(shè)計(jì)項(xiàng)目、基于RISC-V架構(gòu)的自主可控毫米波雷達(dá)SoC芯片研發(fā)等。項(xiàng)目具體信息如下圖所示：
