聞泰科技股份有限公司發(fā)布公告稱，半導體業(yè)務新產品流片成功。其全資子公司Nexperia B.V.（“安世半導體”）于2021年設立了中國研究院，專注高壓功率器件、模擬IC等新產品研發(fā)方向。目前公司自主設計研發(fā)的絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor ，以下簡稱“IGBT”）系列產品已流片成功，取得階段性重大進展， 各項參數(shù)均達到設計要求。 

 

IGBT是電源轉換的核心器件，也是新能源與節(jié)能低碳經濟的主要支撐技術，具有開關速度快、載流密度大等特點，并擁有廣泛的應用市場，主要面向新能源汽車、光伏/風力發(fā)電、智能電網、大功率電源、工業(yè)控制、家電產品等領域。其市場空間大、技術壁壘高且注重工程師經驗和品牌口碑積累，是半導體里的優(yōu)質賽道。

 

公告指出，IGBT流片成功后，仍需經過客戶驗證，后續(xù)量產計劃具有不確定性。目前 公司生產經營正常，各項業(yè)務有序開展，公司將視相關產品及項目的進展情況持續(xù)履行信息披露義務，請廣大投資者注意投資風險。