據(jù)介紹，碳化硅材料已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略競爭的新高地，對實現(xiàn)“雙碳”具有重要的戰(zhàn)略意義。因碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)點，更適合開發(fā)具有耐高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等優(yōu)勢的功率半導(dǎo)體器件，可有效突破傳統(tǒng)硅基材料的物理極限，已成為我國重點發(fā)展的戰(zhàn)略性先進半導(dǎo)體。

 

2021年9月，中電科二所建設(shè)了碳化硅芯片mini線，并負責整線運行和維護。針對整個項目時間緊、任務(wù)重的情況，研究所憑借自身的行業(yè)影響力和資源調(diào)配能力，在水、電、氣等配套條件完成后的30日內(nèi)，完成單機設(shè)備調(diào)試、碳化硅整線工藝調(diào)試，并成功產(chǎn)出碳化硅芯片，創(chuàng)造了山西速度。

 

中電科二所有關(guān)負責人表示，該項目的成功是落實我省“十四五”規(guī)劃將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打造成新支柱產(chǎn)業(yè)取得的階段性重大成果，也代表著我省向半導(dǎo)體領(lǐng)域轉(zhuǎn)型發(fā)展道路上的一個重要進展。下一步，研究所將全力以赴推進實驗室二期碳化硅芯片中試線和碳化硅器件智能封裝線的建設(shè)。