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聯(lián)電宣布與頎邦交換持股布局封測,攜手瞄準化合物半導體市場

日期:2021-09-06 來源:科技新報閱讀:346
核心提示:晶圓代工大廠聯(lián)電及100%持股子公司宏誠創(chuàng)投宣布,兩家公司董事會通過與頎邦科技進行股份交換案。
晶圓代工大廠聯(lián)電及100%持股子公司宏誠創(chuàng)投宣布,兩家公司董事會通過與頎邦科技進行股份交換案。預計未來順利完成之后,聯(lián)電及頎邦科技兩家公司將建立長期戰(zhàn)略合作關系。
 
聯(lián)電指出,雙方基于多年來在驅動IC的領域密切聯(lián)系合作,雙方董事會決議以換股方式,相互取得對方股權,更進一步強化雙方長期戰(zhàn)略合作關系。三方同意依相關法規(guī)進行股份交換,由頎邦增資發(fā)行普通股新股67152322股作為對價,以受讓聯(lián)電增資發(fā)行之普通股新股61107841股,以及宏誠創(chuàng)投所持有之聯(lián)電已發(fā)行普通股16078737股,換股比例為聯(lián)電每1股換發(fā)頎邦0.87股。預計換股交易完成后,聯(lián)電及子公司宏誠創(chuàng)投將共同持有頎邦約9.09%股權,頎邦則將持有聯(lián)電約0.62%股權。
 
聯(lián)電強調,聯(lián)電當前以先進制程技術提供晶圓制造服務,為IC產業(yè)各項應用產品生產芯片,并且持續(xù)推出尖端制程技術及完整的解決方案,以符合客戶的芯片設計需求,所提供方案橫跨14納米到0.6微米之制程技術。頎邦的技術制程主要是聚焦于面板驅動IC封裝測試、覆晶凸塊制作及晶圓級芯片尺寸封測(WLCSP),并持續(xù)投入扇出型系統(tǒng)級封裝(FOSiP)及覆晶系統(tǒng)型封裝(FCSiP)等相關高端先進封裝技術制程開發(fā)。
 
另外,聯(lián)電為中國臺灣地區(qū)最早經營面板驅動IC晶圓代工的廠商,亦為成功使用28納米高壓制程于AMOLED面板驅動IC之先行者,并已進階至22納米。頎邦則是全球驅動IC封測代工領導者,產能、技術獨步全球。兩家公司將在驅動IC領域密切合作,整合前、后段制程技術,往更高頻、更低功耗等方向邁進,共同提供面板業(yè)界一元化的解決方案。
 
聯(lián)電進一步表示,聯(lián)電近年積極投入開發(fā)化合物半導體氮化鎵(GaN)功率元件與射頻組件制程開發(fā),鎖定市場商機為高效能電源功率元件及5G射頻元件。頎邦在電源功率元件及射頻元件封測市場經營多年,并已在此行業(yè)占有舉足輕重之地位,服務項目包括覆晶凸塊(Bumping)、厚銅重布線(RDL)及晶圓級芯片尺寸(WLCSP)封測,適用晶圓材質除了硅(Si)外,也已經開始量產于砷化鉀(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物晶圓上。頎邦也正在致力開發(fā)覆晶系統(tǒng)級(FCSiP)、扇出型系統(tǒng)級(FOSiP)等先進封裝技術。聯(lián)電、頎邦分居產業(yè)供應鏈之上下游,兩家公司將在這些市場區(qū)塊通力合作。
 
聯(lián)電總經理簡山杰表示,聯(lián)電一向致力于以全球化布局擴展營運規(guī)模、強化客戶競爭力及提升股東價值。面對半導體技術日趨精進,基于產業(yè)趨勢及市場共同性,聯(lián)電除了研發(fā)自有晶圓代工技術,也與策略伙伴攜手合作,結合雙方技術優(yōu)勢,整合上下游供應鏈資源,提供客戶先進的制程技術方案及更完整的全方位服務。 
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