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外媒:美光科技將引入極紫外光刻機

日期:2021-07-02 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:281
核心提示:據(jù)國外媒體報道,在2021財年第三財季的財報分析師電話會議上,美光科技CEO兼總裁Sanjay Mehrotra透露,他們將引入極紫外光刻機。
據(jù)國外媒體報道,在2021財年第三財季的財報分析師電話會議上,美光科技CEO兼總裁Sanjay Mehrotra透露,他們將引入極紫外光刻機。
 
從Sanjay Mehrotra在財報分析師電話會議上透露的消息來看,美光科技是計劃2024年,在部分工藝節(jié)點部署極紫外光刻機,隨后擴大到更多工藝節(jié)點。
 
Sanjay Mehrotra還表示,他們一直在關(guān)注極紫外光刻機的進展,他們其實也在評估引入極紫外光刻機。
 
事實上,美光科技此前就曾表示他們將引入極紫外光刻機。Sanjay Mehrotra在會上就提到,他們曾多次表示,當他們認為極紫外光刻機平臺及生態(tài)系統(tǒng)變得更成熟的時候,他們就將在適當?shù)臅r間點引入極紫外光刻機。

美光表示,計劃從2024年開始,將EUV納入DRAM開發(fā)路線圖。另外,美光計劃在今年年底安裝ASML新一代EUV光刻機3600D。
 
值得注意的是,美光科技并不是首家引入極紫外光刻機的存儲芯片制造商,SK海力士就已在他們的M16工廠安裝極紫外光刻機,在2月份就開始試生產(chǎn)1anm的DRAM,預計在今年7月份開始大規(guī)模生產(chǎn)。

 
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