核心觀點(diǎn)

受益制程微縮&3D趨勢(shì)，刻蝕設(shè)備成為第一大半導(dǎo)體設(shè)備。隨著線寬的持續(xù)減小和3D集成電路的發(fā)展，刻蝕設(shè)備已躍居集成電路采購(gòu)額最大的設(shè)備類型。SEMI數(shù)據(jù)顯示，全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約210.44億美元，占晶圓制造設(shè)備總市場(chǎng)規(guī)模的22%。由于刻蝕工藝復(fù)雜、技術(shù)壁壘高，全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)集中度高；華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，2021年全球刻蝕設(shè)備CR3超90%。

CCP受益3D發(fā)展趨勢(shì)，制程微縮推動(dòng)ICP需求增長(zhǎng)。干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術(shù)，可分為電容性等離子體刻蝕（CCP）和電感性等離子體刻蝕（ICP）兩大類。CCP適用刻蝕硬介電材料以及孔/槽結(jié)構(gòu)，其需求主要來(lái)自3D NAND等3D結(jié)構(gòu)發(fā)展的推動(dòng)；ICP適用于刻蝕硬度低或較薄的材料以及挖掘淺槽，因此線寬持續(xù)減少是ICP需求主要推動(dòng)力。中微公司和北方華創(chuàng)是國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備龍頭，分別在CCP和ICP領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。

下游擴(kuò)產(chǎn)趨勢(shì)明確，器件結(jié)構(gòu)多維度升級(jí)刺激需求。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，中國(guó)大陸已連續(xù)四年成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。Gartner預(yù)計(jì)，2018-2025年中國(guó)大陸新建晶圓廠項(xiàng)目為74座，位居全球第一。下游明確的擴(kuò)產(chǎn)趨勢(shì)，疊加半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈迫切的國(guó)產(chǎn)化需求，國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備迎來(lái)發(fā)展良機(jī)。器件結(jié)構(gòu)多維度升級(jí)同步刺激需求。1）3D NAND/DRAM：高深寬比結(jié)構(gòu)制造常采用CCP刻蝕設(shè)備。2）邏輯：GAA晶體管制造需要準(zhǔn)確且高選擇性的SiGe各向同性刻蝕；通過(guò)刻蝕設(shè)備采用多重曝光技術(shù)成為我國(guó)突破光刻極限關(guān)鍵手段。3）互連：HBM等多芯片堆疊結(jié)構(gòu)以及背面供電架構(gòu)均需構(gòu)建TSV；深孔刻蝕是TSV的關(guān)鍵工藝，其中Bosch刻蝕是首選技術(shù)，通常選擇ICP刻蝕設(shè)備。

建議關(guān)注標(biāo)的：泛林集團(tuán)、東京電子、應(yīng)用材料三家全球半導(dǎo)體設(shè)備頭部企業(yè)均實(shí)現(xiàn)了刻蝕、薄膜沉積等多產(chǎn)品線的布局，因此我們認(rèn)為平臺(tái)化建設(shè)走在前列的企業(yè)更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。北方華創(chuàng)致力于打造半導(dǎo)體設(shè)備平臺(tái)型企業(yè)，布局刻蝕/薄膜沉積/清洗/熱處理四大應(yīng)用領(lǐng)域，其中ICP突破12英寸各技術(shù)節(jié)點(diǎn)，CCP實(shí)現(xiàn)邏輯/存儲(chǔ)/功率多關(guān)鍵制程覆蓋。中微公司是國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備龍頭，CCP設(shè)備和ICP設(shè)備應(yīng)用覆蓋度分別達(dá)到94%和95%，同時(shí)布局薄膜沉積等其他設(shè)備，平臺(tái)化建設(shè)持續(xù)推進(jìn)。

風(fēng)險(xiǎn)提示：宏觀經(jīng)濟(jì)和行業(yè)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)，下游客戶資本性支出波動(dòng)較大及行業(yè)周期性特點(diǎn)帶來(lái)的經(jīng)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)，下游客戶擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)，研發(fā)投入不足導(dǎo)致技術(shù)被趕超或替代的風(fēng)險(xiǎn)，研發(fā)方向存在偏差的風(fēng)險(xiǎn)等。